我們認為過氧缺陷的產生，是硅酸鋁中的過氧化焙燒形成的綜合反應而導致。而且，我們認為過氧缺陷在沸石的催化反應過程中起著關鍵作用。 我們分析的起點是水與硅氧烷的反應，它已廣泛用于的其他的環境中,特別是石英、硅系統和那些可能會產生兩個相鄰的羥基（或硅氧橋缺陷附近)的反應：
我們可以通過不同的合成方法或后期處理形式來改變沸石的 結構。同時，這也有助于解釋與沸石相關的實驗數據。事實上，它已經在18 O(氧18)標記的離子交換、紅外光譜、核磁共振實驗中得到了有力的證明：當對沸石分子篩HZSM-5和發光沸石進行脫鋁處理時，其中的羥基巢缺陷濃度上升；而對它們進行鋁化處理時，硅酸鋁中的這些缺陷就會又逐漸消失。在Na和質子的交換實驗以及用對苯二甲酸處理后的沸石分子篩模版ZSM-5的核磁共振實驗中，我們發現，高濃度缺陷總是出現在兩個相鄰的硅羥基（或者乙基烷基）。
在一份硅質材料的光 學實驗報告 （熱變形光學拷貝）中，筆者發現在劇烈的吸附發生時，有能量直接從吸附處轉移到缺陷處，因此筆者認為缺陷的濃度可以定義為每單位晶胞的缺陷；缺陷點處的光學吸收為293和283nm，通過與以往報告的數據對比可發現，缺陷位置是過氧橋或過氧自由基。根據電子順磁共振數據，我們也可以對在 Bronsted點或附近生成二氧化物是否影響沸石中的劉易斯和氧化還原環境進行 討論 ，但是，目前還沒有一個與之相關的先進結構假設理論。
硅酸鋁中的缺陷結構在控制沸石催化劑反應中起著至關重要的作用。的確，質子酸位的傳統模型，通常被看作是酸催化活性中心所在的位置。在這些被看作是酸催化活性中心部位的這些系統,包含一個簡單的橋氧網絡點缺陷綜合體，并且缺陷的位置在被鋁原子所取代的硅原子處,如圖1所示?！傍B巢”(或水榴石)缺陷,如圖2所示,它實質上是一種水解硅空缺。
目前的研究表明：水解硅空缺缺陷大量存在于沸石中(以及很多其它硅酸鹽系統)。事實上,若采用postsyn-thetic的工藝條件合成沸石催化劑，將會產生大范圍的復雜缺陷結構。
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